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FDD86567_F085
采购次数：0
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产品编码:
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0000467444
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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FDD86567_F085
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制造商:
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Fairchild/ON Semiconductor
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描述说明:
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MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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98 请联系咨询
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起订量(PCS):
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2500
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单价(RMB):
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规格
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数据表
包装: 带卷（TR） 系列: 汽车级，AEC-Q101，PowerTrench? 零件状态: 在售 FET 类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）: 82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4950pF @ 30V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 227W（Tj） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3.2 毫欧 @ 80A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D-PAK（TO-252AA） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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