|
SIS892DN-T1-GE3
采购次数：0
|
产品编码:
|
0000467448
|
|
产品类别:
|
晶体管MOSFET
|
|
制造商型号:
|
SIS892DN-T1-GE3
|
|
制造商:
|
Vishay Siliconix
|
|
描述说明:
|
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
|
|
供货情况
|
|
产品状态：
|
平台的新产品
|
|
深圳库存:
|
0 可立即发货
|
|
在订货物:
|
0 预计交货期：无
|
|
海外库存：
|
6000 请联系咨询
|
|
起订量(PCS):
|
|
3000
|
3000
|
3000
|
3000
|
3000
|
|
单价(RMB):
|
|
￥6.52
|
￥6.52
|
￥6.52
|
￥6.52
|
￥6.52
|
|
|
|
规格
|
数据表
包装: 带卷（TR） 系列: TrenchFET? 零件状态: 在售 FET 类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）: 21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 611pF @ 50V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），52W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 29 毫欧 @ 10A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PowerPAK? 1212-8 封装/外壳: PowerPAK? 1212-8
|
|
|
|