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IPB77N06S212ATMA2
采购次数：0
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产品编码:
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0000467449
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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IPB77N06S212ATMA2
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制造商:
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Infineon Technologies
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描述说明:
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MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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海外库存：
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起订量(PCS):
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单价(RMB):
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规格
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数据表
包装: 带卷（TR） 系列: OptiMOS?? 零件状态: 在售 FET 类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 77A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 93μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）: 60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1770pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 158W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 11.7 毫欧 @ 38A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: PG-TO263-3-2 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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