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NVMFS5833NWFT1G
采购次数：0
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产品编码:
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0000467453
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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NVMFS5833NWFT1G
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制造商:
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ON Semiconductor
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描述说明:
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MOSFET N-CH 40V SO8FL
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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98 请联系咨询
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起订量(PCS):
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1500
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单价(RMB):
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￥6.5
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规格
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数据表
包装: 带卷（TR） 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 16A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）: 32.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1714pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），112W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 7.5 毫欧 @ 40A，10V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 封装/外壳: 8-PowerTDFN
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