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IPP60R070CFD7XKSA1
采购次数：0
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产品编码:
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0001651741
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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IPP60R070CFD7XKSA1
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制造商:
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Infineon Technologies
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描述说明:
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MOSFET HIGH POWER_NEW
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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500 请联系咨询
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起订量(PCS):
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1
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10
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100
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1000
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5000
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单价(RMB):
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￥59
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￥59
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￥59
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规格
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数据表
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.057 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: 1 N-Channel
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6 ns
Pd-功率耗散: 156 W
上升时间: 23 ns
系列: CoolMOS CFD7
工厂包装数量: 500
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