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IPL60R185CFD7AUMA1
采购次数：0
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产品编码:
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0001651743
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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IPL60R185CFD7AUMA1
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制造商:
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Infineon Technologies
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描述说明:
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MOSFET N-CH 650V 51A PGVSON-4
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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500 请联系咨询
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起订量(PCS):
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1
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5000
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单价(RMB):
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规格
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数据表
数据列表 IPL60R185CFD7;
标准包装 1
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™ CFD7
其它名称 IPL60R185CFD7AUMA1CT
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1199pF @ 400V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 85W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 185 毫欧 @ 6A，10V
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-VSON-4
封装/外壳 4-PowerTSFN
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