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CGHV40200PP
采购次数：0
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产品编码:
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0001651756
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产品类别:
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晶体管BJT双极
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制造商型号:
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CGHV40200PP
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制造商:
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Cree/Wolfspeed
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描述说明:
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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49 请联系咨询
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起订量(PCS):
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单价(RMB):
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￥2850
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规格
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数据表
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Cree, Inc.
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 16.1 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, + 2 V
Id-连续漏极电流: 8.7 A
输出功率: 250 W
最大漏极/栅极电压: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 166 W
安装风格: Screw
封装 / 箱体: 440199
封装: Tray
商标: Wolfspeed / Cree
配置: Single
开发套件: CGHV40200PP-AMP1
正向跨导 - 最小值: -
最小工作温度: - 40 C
工作频率: 1.7 GHz to 1.9 GHz
工厂包装数量: 50
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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