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GS61008P-E05-MR
采购次数：1
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产品编码:
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0001772203
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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GS61008P-E05-MR
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制造商:
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GaN Systems
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描述说明:
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MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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420 请联系咨询
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起订量(PCS):
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1
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10
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100
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1000
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5000
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单价(RMB):
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￥77
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￥77
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￥77
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￥77
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￥77
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规格
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数据表
制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: GaNPX-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 7 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
制造商: GaN Systems
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: GaN
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: GaNPX-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 7 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
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