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PGA26E19BA
采购次数：3
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产品编码:
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0001772288
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产品类别:
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晶体管MOSFET
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制造商型号:
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PGA26E19BA
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制造商:
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Panasonic
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描述说明:
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MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
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供货情况
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产品状态：
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平台的新产品
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深圳库存:
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0 可立即发货
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在订货物:
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0 预计交货期：无
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海外库存：
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20 请联系咨询
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起订量(PCS):
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1
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10
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100
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1000
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5000
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单价(RMB):
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￥287
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规格
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数据表
制造商:Panasonic
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:GaN
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DFN-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:13 A
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:2 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:69 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:X-GaN
系列:PGA26E19BA
商标:Panasonic
下降时间:2.4 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:5.2 ns
工厂包装数量:200
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:3.4 ns
典型接通延迟时间:3.4 ns
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